中国半导体制造装备迎来了一次实质性突破。
据 The Information 报道，上海一家国有支持的企业已开始量产浸没式深紫外（DUV）光刻机，并计划在今年向中芯国际、华虹半导体和长鑫存储交付首批设备。2026年的产出目标约为5台，2027年提升至约20台。
这一进展发生在一个极其敏感的时间点：美国众议院正在推进的 MATCH 法案已将上述三家企业列为受限实体，不仅禁止新设备出口，还将切断现有ASML设备的维护与服务。国产设备的此时入场，无异于在悬崖边搭起了一座桥。
谁在造？怎么造？
尽管报道未点名制造商，但消息源指出，该项目整合了多家中国公司的DUV开发团队，其中包括国有初创公司上海宇量昇科技。自2025年9月起，中芯国际已在测试其浸没式工具。
新系统中大多数组件已实现国产化，但部分关键部件仍依赖日本供应商。正是这些外部供应链的延误，限制了今年的产出规模。这也提醒我们，所谓“国产突破”并非一蹴而就的完全国产化，而是在全球供应链缝隙中艰难拼出的阶段性成果。
性能与现实差距
浸没式DUV可通过单次曝光打印28nm级特征，再经多重图案化延伸至7nm节点。但这会带来对准误差累积和良率下降的代价。
独立分析机构 AI Futures Project 此前预测，中国商用级浸没式DUV要到2030年代中期才能成熟。如今提前数年实现量产，固然令人振奋，但必须清醒认识到：新机器导入产线需数月验证周期，且在性能和制造质量上仍落后于ASML同类工具。至于更先进的EUV光刻机，据路透社报道，国产项目仍需数年时间。
ASML的退场与国产的补位
ASML首席财务官Roger Dassen在7月财报会上透露，2026年浸没式系统出货量预计约130套，与2025年持平，但中国市场占其净销售额的比例已从2025年的33%降至20%。ASML计划2027年将浸没式产能提高30%，但这些增量显然不再面向中国客户。
这意味着，当ASML依法退出后，中国晶圆厂将面临巨大的设备缺口。国产DUV即便年产仅20台，也将在2027年成为维持产线运转的关键补充。它或许无法完全替代ASML，但至少能让扩产计划不至于彻底停摆。
© 版权声明
文章版权归作者所有，未经允许请勿转载。
