加利福尼亚州北区联邦地区法院近日受理了一起针对全球三大DRAM制造商——三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）的集体诉讼。17名原告指控这三家控制着全球约90% DRAM市场的巨头非法协调，通过限制DDR3和DDR4供应来推高价格，导致过去四年内存成本暴涨约700%。
核心指控：以“技术升级”为掩护的产能削减
诉状的核心论点在于，三家公司利用向**高带宽内存（HBM）**转型的行业趋势作为“掩护”，协同削减了成熟制程（DDR3/DDR4）的产能。
- 市场壁垒：由于新建DRAM晶圆厂需耗资数百亿美元且耗时数年，新竞争者难以进入市场。这使得现有巨头可以在不担心被压价的情况下自由削减产量。
- 价格飙升证据：原告引用了苹果近期上调iPad和Mac价格的行为，将其视为供应链紧张和内存成本高企的直接证据。
- 法律依据：诉状援引《谢尔曼法》第1条，指控三家公司达成非法协议限制贸易。原告包括14名个人消费者和3家小型PC企业，正在寻求集体诉讼地位、禁令救济及三倍损害赔偿。
法律挑战：如何区分“合谋”与“平行行为”？
此案面临的最大法律障碍是此前已确立的司法先例。
- 2018年诉讼败诉回顾：Hagens Berman律师事务所曾在2018年提起类似诉讼，指控三家公司协同削减产能。但地方法院于2020年驳回起诉，第九巡回上诉法院于2022年维持原判。
- 法院观点：上诉法院裁定，三方的行为更可能是由合法的、非协同的自由市场力量（如需求波动、技术迭代）驱动的“默契并行行为”，而非非法协议。根据《谢尔曼法》，仅凭市场结果相似不足以定罪，必须提供实际协议的证据。
- 新诉状的突破点：本次诉讼试图通过强调**“向HBM的协同转移”**这一具体策略，提供此前诉讼所缺乏的额外证据，以证明这种产能削减并非单纯的市场反应，而是有预谋的协调行动。
行业背景：HBM热潮下的供需失衡
尽管指控尚未得到证实，但内存市场的现状确实为诉讼提供了土壤：
- 产能倾斜：为了追逐AI时代的高利润，三大厂商正将大量晶圆产能从标准DRAM转向HBM。这直接导致了DDR4等成熟产品的供应短缺。
- 高管预警：三家公司高管均公开警告，由于产能转换和需求强劲，短缺可能持续数年。
- 价格预测：投资银行Jefferies预测，DRAM价格在2026年Q3将再涨40-50%，Q4再涨30-40%，直到2028年才可能有实质性缓解。
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